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PDTB123TS,126

NXP Semiconductors / Freescale

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モデル PDTB123TS,126
メーカー NXP Semiconductors / Freescale
説明 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
In Stock 8178 pcs
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モデル PDTB123TS,126
メーカー NXP Semiconductors / Freescale
説明 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
フリーステータス/ RoHS状態 鉛フリー/ RoHS準拠
株式 8178 pcs
データシート PDTB123T Series
商品画像 PDTB123TS,126-001.jpg , PDTB123TS,126-002.jpg
プロダクト ディスクリート半導体製品
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 2.5mA, 50mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ TO-92-3
シリーズ -
抵抗器 - ベース(R1) 2.2 kOhms
電力 - 最大 500mW
パッケージング Tape & Box (TB)
パッケージ/ケース TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
他の名前 934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 100 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 500mA
ベース部品番号 PDTB123
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